AI ASIC開打 愛普、力積電出擊

記者陳苗生/綜合報導

AI ASIC先進封裝大戰正式從台積電(2330)CoWoS延燒至英特爾EMIB-T陣營。供應鏈傳出,愛普*(6531)將攜手力積電(6770)支援英特爾矽電容布局,並與聯發科(2454)共同切入Google新一代TPU專案。法人認為,隨Google、Meta、AWS等雲端巨頭加速自研AI晶片,台灣IC設計、晶圓代工與先進封裝供應鏈正全面卡位下一波AI ASIC商機。

Google TPU v8t(Zebrafish)將由聯發科負責I/O die設計及後段封裝服務,市場看好可望進一步推升聯發科ASIC業務規模,未來甚至有機會超越既有手機晶片事業,成為支撐中長期成長的重要動能。聯發科日前亦表示,將依客戶需求,同時支援台積電CoWoS與英特爾EMIB等先進封裝技術,提供更具彈性的解決方案。

供應鏈透露,聯發科持續與英特爾合作測試EMIB-T先進封裝方案,並導入愛普提供的IPD(Integrated Passive Device)矽電容技術。愛普旗下S-SiCap產品主打高電容密度、低高度與可客製化尺寸,可應用於2.5D封裝、矽中介層(Interposer)及封裝基板嵌入等場景,滿足AI伺服器與高效能運算(HPC)晶片對電源完整性及訊號穩定性的需求。

法人指出,愛普矽電容業務正逐步進入收成階段,預估至明年底IPD月產能有機會挑戰1萬片規模,成為未來兩年重要成長引擎。不過,隨英特爾EMIB-T平台潛在需求快速升溫,既有產能恐難完全滿足後續AI ASIC放量需求,因此愛普正協助英特爾尋求力積電支援Si cap生產,藉此建立更具彈性的供應體系。市場亦傳出,愛普、力積電高層近期有望與英特爾執行長陳立武會面,就相關合作進一步交換意見。

英特爾近年積極強化先進封裝布局,EMIB-T主要鎖定HBM、高頻寬UCIe介面及大型Chiplet架構設計需求,透過TSV與高密度互連技術,提升晶片間資料傳輸效率,並兼顧頻寬、功耗與封裝面積等關鍵指標。

根據英特爾公開資料,EMIB-T為EMIB技術的延伸版本,相較傳統封裝架構,更適合高頻寬、高功率AI加速器應用。(圖片/新聞來源:工商時報/工研院/產業科技國際策略發展所)