記者陳苗生/綜合報導
手機品牌小米推出玄戒Ｏ3、Ｏ100及D100三款自研晶片，分別鎖定旗艦手機、端側AI與智慧駕駛市場。供應鏈透露，玄戒Ｏ3採台積電N3P製程，D100同樣由3奈米打造；最受矚目的Ｏ100則採6奈米製程，並導入晶圓堆疊（WoW）及Hybrid Bonding（混合鍵合）技術。法人看好，晶片堆疊成顯學，台積電及相關先進封裝供應鏈受惠可期。
玄戒O3定位AI旗艦手機系統單晶片（SoC），目前已進入量產，預計搭載小米新一代高階折疊手機；D100鎖定智慧駕駛，已完成研發，預計2027年商用。
相較Ｏ3與D100推進先進製程，Ｏ100突破主要來自先進封裝。晶片業者指出，Ｏ100將兩層AI專用記憶體直接堆疊於NPU邏輯晶圓之上，形成三層Wafer-on-Wafer（WoW）結構，大幅縮短資料傳輸距離，記憶體頻寬提高至1.22TB／s，端側大模型推理速度最高達每秒330個Token。
半導體業者指出，Hybrid Bonding是Ｏ100的技術核心。傳統3D封裝主要透過微凸塊及焊料連接上下晶片，混合鍵合則取消錫球，直接讓銅墊及介電層接合，使Ｏ100鍵合間距縮小至1.4微米。
法人指出，台積電已具備SoIC混合鍵合、WoW及高密度銅對銅互連能力，與Ｏ100架構高度契合。設備端方面，弘塑、辛耘布局晶圓清洗及濕製程；志聖切入WoW永久鍵合及預退火設備；中砂CMP鑽石碟對應高度平坦化需求，均華、萬潤則深耕精密取放、黏晶及貼合設備。
業界認為，Ｏ100短期出貨規模仍待2027年商用後驗證，但代表混合鍵合應用正由資料中心、HBM及高效能運算向端側AI裝置延伸。隨端側AI競爭轉向記憶體頻寬、功耗及封裝協同設計，先進封裝將成終端AI競爭新戰場。（圖片/新聞來源：工商時報/工研院/產業科技國際策略發展所）
